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美國研究人員最近研發出一種可批量生產砷化鎵晶片的技術，克服了成本上的瓶頸，從而使砷化鎵這種感光性能比硅更優良的材料有望大規模用于半導體和太陽能相關產業。

據介紹，砷化鎵是一種感光性能比當前廣泛使用的硅更優良的材料，理論上它可將接收到的陽光的４０％轉化為電能，轉化率約是硅的兩倍，因此衛星和太空飛船等多采用砷化鎵作為太陽能電池板的材料。然而，傳統的砷化鎵晶片制造技術每次只能生成一層晶片，成本居高不下，限制了砷化鎵的廣泛應用。

美國伊利諾伊大學等機構研究人員報告說，他們開發出的新技術可以生成由砷化鎵和砷化鋁交疊的多層晶體，然后利用化學物質使砷化鎵層分離出來，可同時生成多層砷化鎵晶片，大大降低了成本。這些砷化鎵晶片可以像“蓋章”那樣安裝到玻璃或塑料等材料表面，然后可使用已有技術進行蝕刻，根據需要制造半導體電路或太陽能電池板。

不過，該技術目前還只能用于批量生產較小的砷化鎵晶片，如邊長５００微米的太陽能電池單元，這與現在廣泛使用的硅晶片相比還是太小。下一步研究將致力于利用新技術批量生產更大的砷化鎵晶片。