“效率已接近內燃機。這是實現轉換效率破50％的理想太陽能電池進程中的一個重大突破”（夏普）。日前，夏普把太陽能電池轉換效率的最高紀錄提高到了35.8％。如果以1000倍進行聚光，轉換效率還有望達到45％。
夏普的技術人員正在進行新一輪的開發。目標是以1/10的成本，使非聚光時的單元轉換效率超越40％。以超越40％為目標加緊開發的并非夏普一家。為了實現高效太陽能電池，有關技術開發競爭正越來越活躍。
在此之前，最高轉換效率是美國NREL（National Renewable Energy Laboratory）于2007年創造的33.8％。聚光條件下的最高效率則是美國Spectrolab剛剛在2009年10月的學會上發布的41.6％。包括夏普此次的成果在內，創造紀錄的全部為三結合式化合物的多結太陽能電池。
把太陽能電池的轉換效率提高至極限需要組合帶隙不同的材料，以便充分利用各個波長的光線。過去夏普注重制造的簡單性，選擇了晶格常數接近的材料。即頂單元（三結結構的上層）為InGaP，中單元（同上，中層）為InGaAs，底單元（同上，下層）為Ge，底板為Ge。
此次，夏普以優化帶隙為先，底單元的Ge（帶隙為0.67eV）由InGaAs（同上，0.97eV）替代，采用了InGaP（頂）、GaAs（中）、InGaAs（底）、GaAs底板的組合。因此，按照從頂層到底層的順序，波長從短到長的光線都能夠有效地應用于發電。
通過逆向層疊解決課題
這種組合存在InGaP的晶格常數與GaAs底板及其他層差異較大的課題。該現象會誘發晶體缺陷，難以實現高效率。為此，夏普掉轉了過去的成膜順序，通過采用從InGaP（頂）開始依次成膜的“逆向層疊形成法”，使晶格常數與GaAs底板基本達到了一致。通過在晶格常數不同的GaAs（中）與InGaAs（底）之間插入緩沖層，抑制了缺陷的產生。考慮到透射波長，緩沖層與頂層同為InGaP。
在使用逆向層疊形成法從InGaP（頂）開始依次疊加至InGaAs（底）后，3層需要與GaAs底板分離，InGaAs（底）層朝下轉印至Si底板上。使InGaP層處于表面方向。與Si底板接合使用的是“類似于焊錫的材料”（夏普）。
除了高效化，該方法在未來還能夠降低成本。GaAs底板分離工序目前使用的是刮除GaAs底板的方法。如果在未來能夠利用插入剝離層、向希望剝離的部分實施離子注入等方法完成該工序，那么，GaAs底板將有望實現重復利用。由于GaAs底板價格非常昂貴，因此，該方法的實現能夠大幅降低成本。
借助以上改進，“比晶體Si型高2位數”的制造成本有望降低到現在的1/10。其用途目前僅限于人造衛星，但隨著成本的降低，今后還可能拓展至其他領域。
轉換效率的提升不會就此停止。夏普計劃在2025年開發出單元轉換效率為40％，1000倍聚光時的轉換效率為50％的革命性太陽能電池。通過在InGaAs（底）下方增設新層，實現4結式化合物多結太陽能電池。制造方法仍為此次的逆向層疊形成法。除帶隙不同的材料外，利用量子點的帶隙控制層也有望成為新層。
韓國LG與臺灣友達光電（AUO）預定在“Green Device 2009 Forum”（10/28～10/30）上召開旨在探討太陽能電池業務及技術戰略的太陽能電池研討會。
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